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Moduli Ddr3 Da 16gb Nel 2009

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Samsung Electronics ha annunciato i primi sample di chip 2Gb (gigabit) DDR3 DRAM costruiti con tecnologia a 50 nanometri.

I nuovi chip, caratterizzati da una densità doppia rispetto alla precedente generazione e da un consumo ridotto del 40%, permetteranno di realizzare memorie RIMM (registered in-line memory modules) da 8GB, SODIMM (small outline dual in-line memory modules) da 4GB e, in configurazioni dual-die packages, di raggiungere i 16GB di densità per moduli da piattaforme desktop e server entro il 2009. I dispositivi da 2Gb offrono un data rate di 1.3Gb/s con una tensione di alimentazione di 1.35~1.5 volt.

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